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【申請?zhí)枴?span lang="EN-US"> CN201810183512.4
【申請日】 2018-03-06
【公開號】 CN108374151A
【公開日】 2018-08-07
【申請人】 西安交通大學(xué)
【地址】 710049 陜西省西安市碑林區(qū)咸寧西路28號
【發(fā)明人】 胡文波 李潔 郝玲 高步宇 吳勝利 李永東
【專利代理機(jī)構(gòu)】 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
【代理人】 徐文權(quán)
【國省代碼】 61
【摘要】 一種金屬與氧化鋅摻雜氧化鎂二次電子發(fā)射薄膜及其制備方法,包括基底以及在基底上由上至下依次設(shè)置的氧化鋅摻雜氧化鎂膜層和金屬摻雜氧化鎂膜層,金屬摻雜氧化鎂膜層中單純摻雜金屬材料或者共摻雜金屬材料與氧化鋅,單純摻雜金屬材料的金屬摻雜氧化鎂膜層中金屬的原子數(shù)百分含量為6%#30%,共摻雜金屬材料與氧化鋅的金屬摻雜氧化鎂膜層中金屬的原子數(shù)百分含量為5%#25%,鋅的原子數(shù)百分含量不高于5%;氧化鋅摻雜氧化鎂膜層中所形成的Mg#Zn#O復(fù)合物晶粒的尺寸為8nm#30nm,鋅的原子數(shù)百分含量為0.2%#8%,采用濺射法進(jìn)行制備,能有效提高二次電子發(fā)射系數(shù),增強(qiáng)電子發(fā)射的穩(wěn)定性。
【主權(quán)項(xiàng)】 1.一種金屬與氧化鋅摻雜氧化鎂二次電子發(fā)射薄膜,其特征在于：包括基底(1)以及在基底(1)上由上至下依次設(shè)置的氧化鋅摻雜氧化鎂膜層(3)和金屬摻雜氧化鎂膜層(2);所述的金屬摻雜氧化鎂膜層(2)中單純摻雜金屬材料或者共摻雜金屬材料與氧化鋅,其中,單純摻雜金屬材料的金屬摻雜氧化鎂膜層(2)中金屬的原子數(shù)百分含量為6%#30%,共摻雜金屬材料與氧化鋅的金屬摻雜氧化鎂膜層(2)中金屬的原子數(shù)百分含量為5%#25%,鋅的原子數(shù)百分含量不高于5%;所述的氧化鋅摻雜氧化鎂膜層(3)中所形成的Mg#Zn#O復(fù)合物晶粒的尺寸為8nm#30nm,鋅的原子數(shù)百分含量為0.2%#8%。
【頁數(shù)】 10
【主分類號】 C23C14/34
【專利分類號】 C23C14/34;C23C14/08;C23C14/02
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